新洁能n沟槽30v低压mos场效应管ncep055n30gu

武汉匡旭电子科技有限公司为您提供新洁能n沟槽30v低压mos场效应管ncep055n30gu。nce的优势：
1.更小的封装尺寸：针对有刷无刷直流电机的双芯片n+n或者n+p的双芯封装芯片。

2.的电流能力：运用clip和贴片式封装使芯片的散热能力。

3.新一代的sgt技术使安全工作区域。


型号：
n-channel sgt gen.2 mos、n-channel sgt gen.1 mos、n-channel trench mos：

vds=60v-100v ron@10v（max）=4mω-35mω 包含双芯封装n+n或者n+p

ic：栅驱动 ic


产品优势： 导通电阻、栅电荷、大电流关断能力强、静电防护能力强
更多新洁能，超结-igbt-沟槽型功率mosfet-超结功率mosfet-屏蔽栅功率mosfet及其它产品，欢迎来电垂询武汉匡旭电子科技有限公司~

     本公司主营： NMB散热风扇 - NMB电机 - NMB滚珠轴承 - 明纬电源 - 新洁能MOS管
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