武汉匡旭电子科技有限公司为您提供nce/新洁能半导体nce60t2k2i。新洁能提供击穿电压等范围为500v至800v的n沟道sj-iii系列功率mosfet产品,以的导通电阻,低的栅电荷,的开关速度,以及具竞争力的---,成为开关电源应用中的理想选择。同时,新洁能sj-iii系列产品提供业内先的雪崩耐量(eas)以及静电释放能力。此外,该系列产品采用新洁能自主技术,优化了产品开关特性,广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、ups、电动汽车充电等域。
n沟道500-800v系列sj-iii mosfet产品封装范围包括to-220、to-223、to-263、to-251、to-252、to-247等。
产品特性:
导通电阻低、栅电荷低 、开关速度
如许多应用环境,如计算和存储、通信交换机和路由器以及无线通信,越来越依赖于数据处理,为了满足5g通信下庞大的数据体系,进一步推动了5g通信设备的发展应用。整个电源系统具有高能效和高密度,以提供所需的高水平电源性能。
新洁能推出的super-junction mosfet gen.3&split gate trench mosfet 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到致,全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面,通过功能性升与工艺技术优化来降低总体成本。新洁能已推出二代split gate trench mosfet,相比于一代产品,二代产品特征导通电阻降低20%以上,esd能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上,可以满足客户更高能效的需求,产品的---进一步提升。
5g电源应用型号如下:pfc:super-junction gen.3 mos & super-junction gen.3 tf mos & super-junction gen.4 mos & super-junction gen.4 nf mos:vds=650v-700v ron@10v(max)=140mω-360mωfly back:super-junction gen.3 mos & super-junction gen.3 tf mos & super-junction gen.4 mos & super-junction gen.4 nf mos:vds=650v-700v ron@10v(max)=140mω-360mω同步整流:n-channel sgt gen.2 mos & n-channel sgt gen.1 mos:vds=100v-150v ron@10v(max)<10mω
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本公司主营:
NMB散热风扇
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NMB电机
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NMB滚珠轴承
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明纬电源
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新洁能MOS管
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